Los dispositivos espintrónicos, a diferencia de los electrónicos, no solo hacen uso de la carga del electrón para su funcionamiento, sino que también consideran una propiedad cuántica llamada espín. Gracias a esto, se pueden desarrollar dispositivos más rápidos, eficientes y con menor gasto energético que los dispositivos electrónicos convencionales.
Los materiales con propiedades magnéticas son los principales constituyentes de los dispositivos espintrónicos y suelen clasificarse en dos grandes grupos: ferromagnéticos (FM) y antiferromagnéticos (AFM). En un FM, todos los momentos magnéticos de los átomos se encuentran alineados en la misma dirección, dando como resultado una magnetización total. Por otro lado, los AFM están conformados por dos subredes de momentos magnéticos antiparalelos, resultando en una magnetización total de cero. Ambas subredes se encuentran relacionadas por una operación de traslación o inversión.
Recientemente, un grupo multidisciplinario y multinacional descubrió un nuevo tipo de ordenamiento magnético, empleando una teoría de clasificación de simetrías de momentos magnéticos: los altermagnetos (AM). Este tipo de materiales está constituido por dos subredes de espines antiparalelos; sin embargo, ambas subredes no se relacionan por una inversión o traslación, pero sí por una rotación. Este cambio en la simetría de la red le confiere a los AM características tanto de los FM como de los AFM, así como nuevas propiedades.
Mediante la técnica de espectroscopia de fotoemisión con resolución angular (ARPES) y modelado computacional basado en la teoría del funcional de la densidad (DFT), este grupo de investigación logró demostrar la existencia del altermagnetismo en el compuesto MnTe (telururo de manganeso), el cual fue sintetizado en forma de película delgada mediante la técnica MBE (por sus siglas del inglés molecular beam epitaxy) sobre sustratos de fosfuro de indio con orientación (111) y terminación en In. Este descubrimiento tiene importantes aplicaciones en la nueva generación de tecnologías de memorias magnéticas y, sin duda, revolucionará los libros de magnetismo, pues ahora se debe considerar una tercera fase magnética que ha sido ignorada durante siglos.
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